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在2026至2028年,海力
NAND方面,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,并不是GDDR8,
DRAM市场方面,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、面向AI市场有专用的高密度NAND。
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。HBM5E以及其定制版本,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,12层和16层堆叠的HBM4E,
在2029至2031年,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,他们公布的产品线路图涵盖了HBM、